SiC Substratua
Deskribapena
Silizio karburoa (SiC) IV-IV taldeko konposatu bitar bat da, Taula Periodikoko IV taldeko konposatu solido egonkor bakarra da, erdieroale garrantzitsua da.SiC-k propietate termiko, mekaniko, kimiko eta elektriko bikainak ditu, eta horrek tenperatura altuko, maiztasun handiko eta potentzia handiko gailu elektronikoak egiteko material onenetakoa da, SiC substratu-material gisa ere erabil daiteke. GaN oinarritutako argi-igorle urdineko diodoetarako.Gaur egun, 4H-SiC merkatuko produktu nagusiak dira, eta eroankortasun mota erdi isolatzaile mota eta N motatan banatzen da.
Propietateak
| Elementua | 2 hazbeteko 4H N motakoa | ||
| Diametroa | 2 hazbete (50,8 mm) | ||
| Lodiera | 350+/-25um | ||
| Orientazio | ardatzetik kanpo 4,0˚ <1120> aldera ± 0,5˚ | ||
| Lehen mailako orientazioa | <1-100> ± 5° | ||
| Bigarren mailako pisua Orientazio | 90,0˚ CW Lehen lautik ± 5,0˚, Si ahoz gora | ||
| Lehen mailako luzera laua | 16 ± 2,0 | ||
| Bigarren mailako Luzera Laua | 8 ± 2,0 | ||
| Kalifikazioa | Ekoizpen kalifikazioa (P) | Ikerketa kalifikazioa (R) | Dummy kalifikazioa (D) |
| Erresistentzia | 0,015~0,028 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm |
| Mikrohodiaren dentsitatea | ≤ 1 mikrohodi/cm² | ≤ 1 0 mikropipa/ cm² | ≤ 30 mikrohodi/cm² |
| Gainazalaren zimurtasuna | Si aurpegia CMP Ra <0,5 nm, C aurpegia Ra <1 nm | N/A, azalera erabilgarria > %75 | |
| TTV | < 8 um | < 10um | < 15 um |
| Arkua | <±8 um | < ± 10um | < ± 15um |
| Warp | < 15 um | < 20 um | < 25 um |
| Pitzadurak | Bat ere ez | Luzera metatua ≤ 3 mm | Luzera metatua ≤10mm, |
| Marradurak | ≤ 3 marradura, metatuak | ≤ 5 marradura, metatuak | ≤ 10 marradura, metatuak |
| Hex plakak | gehienez 6 plaka, | gehienez 12 plaka, | N/A, azalera erabilgarria > %75 |
| Politipo Eremuak | Bat ere ez | Azalera metatua ≤ % 5 | Azalera metatua ≤ % 10 |
| Kutsadura | Bat ere ez | ||
