produktuak

LiAlO2 Substratua

deskribapen laburra:

1. Konstante dielektriko baxua

2. Mikrouhin-galera baxua

3. Tenperatura handiko film mehe supereroalea


Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

Deskribapena

LiAlO2 film kristalezko substratu bikaina da.

Propietateak

Kristalezko egitura

M4

Unitateko zelula konstantea

a=5,17 A c=6,26 A

Urtze-puntua (℃)

1900

Dentsitatea (g/cm).3

2.62

Gogortasuna (Mho)

7.5

Leuntzea

Bakarra edo bikoitza edo gabe

Kristalaren Orientazioa

<100> <001>

LiAlO2 Substratuaren definizioa

LiAlO2 substratua litio aluminio oxidoz (LiAlO2) eginiko substratu bati egiten dio erreferentzia.LiAlO2 R3m espazio-taldeari dagokion konposatu kristalinoa da eta kristal egitura triangeluarra du.

LiAlO2 substratuak hainbat aplikaziotan erabili dira, besteak beste, film meheen hazkundea, geruza epitaxialak eta gailu elektroniko, optoelektroniko eta fotonikoetarako heteroegiturak.Bere propietate fisiko eta kimiko bikainak direla eta, bereziki egokia da banda zabaleko erdieroaleen gailuak garatzeko.

LiAlO2 substratuen aplikazio nagusietako bat Galio Nitruroa (GaN) oinarritutako gailuen eremuan dago, hala nola Elektronien Mugikortasun Handiko Transistoreak (HEMTs) eta Argi Igorleko Diodoak (LEDak).LiAlO2 eta GaN-ren arteko sare-desegokia nahiko txikia da, eta GaN film meheen epitaxiaren hazkuntzarako substratu egokia da.LiAlO2 substratuak kalitate handiko txantiloia eskaintzen du GaN deposiziorako, eta ondorioz gailuaren errendimendua eta fidagarritasuna hobetzen dira.

LiAlO2 substratuak beste alor batzuetan ere erabiltzen dira, hala nola, memoria-gailuetarako material ferroelektrikoen hazkuntzan, gailu piezoelektrikoen garapenean eta egoera solidoko baterien fabrikazioan.Beren propietate bereziek, hala nola eroankortasun termiko handia, egonkortasun mekaniko ona eta konstante dielektriko baxua, abantailak ematen dizkiete aplikazio hauetan.

Laburbilduz, LiAlO2 substratuak litio aluminio oxidoz egindako substratu bati egiten dio erreferentzia.LiAlO2 substratuak hainbat aplikaziotan erabiltzen dira, batez ere GaN oinarritutako gailuak hazteko eta beste gailu elektroniko, optoelektroniko eta fotoniko batzuen garapenerako.Propietate fisiko eta kimiko desiragarriak dituzte, film meheak eta heteroegiturak jalkitzeko eta gailuen errendimendua hobetzen dutenak.


  • Aurrekoa:
  • Hurrengoa:

  • Idatzi zure mezua hemen eta bidali iezaguzu