GaAs Substratua
Deskribapena
Galio arseniuroa (GaAs) III-Ⅴ talde erdieroale konposatu garrantzitsu eta heldua da, oso erabilia da optoelektronikaren eta mikroelektronikaren arloan.GaAs bi kategoriatan banatzen da nagusiki: GaA erdi isolatzaileak eta N motako GaAs.GaAs erdi-isolatzailea MESFET, HEMT eta HBT egiturekin zirkuitu integratuak egiteko erabiltzen da batez ere, radar, mikrouhin eta uhin milimetrikoen komunikazioetan, abiadura ultra-altuko ordenagailuetan eta zuntz optikoko komunikazioetan erabiltzen direnak.N motako GaAs LD, LED, infragorri hurbileko laserretan, potentzia handiko laser putzu kuantikoan eta eraginkortasun handiko eguzki-zeluletan erabiltzen da batez ere.
Propietateak
| Kristala | Dopatua | Eroabide Mota | Emarien kontzentrazioa cm-3 | Dentsitatea cm-2 | Hazkuntza Metodoa |
| GaAs | Bat ere ez | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | > 5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | > 5×1017 |
GaAs Substratuaren definizioa
GaAs substratuak galio arseniuroa (GaAs) kristal-materialez osatutako substratuari egiten dio erreferentzia.GaAs galio (Ga) eta artseniko (As) elementuz osatutako erdieroale konposatua da.
GaAs substratuak elektronikaren eta optoelektronikaren alorretan sarritan erabiltzen dira propietate bikainengatik.GaAs substratuen funtsezko propietate batzuk hauek dira:
1. Elektroien mugikortasun handia: GaAs-ek beste material erdieroale arruntek baino elektroi mugikortasun handiagoa du, hala nola silizioa (Si).Ezaugarri honek GaAs substratua maiztasun handiko potentzia handiko ekipo elektronikoetarako egokia bihurtzen du.
2. Banda-hutsune zuzena: GaAs-ek banda-hutsune zuzena du, hau da, elektroiak eta zuloak birkonbinatzen direnean argi-igorpen eraginkorra gerta daiteke.Ezaugarri honek GaAs substratuak aproposak bihurtzen ditu aplikazio optoelektronikoetarako, hala nola argi-igorleko diodoak (LED) eta laserrak.
3. Bandgap zabala: GaAsek silizioa baino banda zabalagoa du, tenperatura altuagoetan funtzionatzeko aukera emanez.Propietate honi esker, GaAs-en oinarritutako gailuek tenperatura altuko inguruneetan eraginkorrago funtzionatzen dute.
4. Zarata baxua: GaAs substratuek zarata maila baxua erakusten dute, zarata baxuko anplifikadoreetarako eta beste aplikazio elektroniko sentikorrak egokitzeko.
GaAs substratuak gailu elektroniko eta optoelektronikoetan oso erabiliak dira, besteak beste, abiadura handiko transistoreak, mikrouhinen zirkuitu integratuak (IC), zelula fotovoltaikoak, fotoi-detektagailuak eta eguzki-zelulak.
Substratu hauek hainbat teknika erabiliz prestatu daitezke, hala nola Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Molecular Beam Epitaxia (MBE) edo Likido Fasearen Epitaxia (LPE).Erabilitako hazkuntza-metodo espezifikoa nahi den aplikazioaren eta GaAs substratuaren kalitate-baldintzen araberakoa da.
